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L6116IM12

更新时间: 2024-11-12 21:07:39
品牌 Logo 应用领域
逻辑 - LOGIC 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 767K
描述
Standard SRAM, 2KX8, 12ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERAMIC, DIP-24

L6116IM12 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP24,.6针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:3A001.A.2.C
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.92
Is Samacsys:N最长访问时间:12 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER-DOWNI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-GDIP-T24JESD-609代码:e0
长度:31.75 mm内存密度:16384 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:2048 words字数代码:2000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C组织:2KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):225电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.00015 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.195 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

L6116IM12 数据手册

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