是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP24,.6 | 针数: | 24 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.92 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 12 ns |
其他特性: | AUTOMATIC POWER-DOWN | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-GDIP-T24 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 31.75 mm | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
字数: | 2048 words | 字数代码: | 2000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 2KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP24,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 225 | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.08 mm |
最大待机电流: | 0.00005 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.195 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
L6116IC15 | LOGIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24 | |
L6116IC15L | LOGIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 15ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24 | |
L6116IC20 | LOGIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 20ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24 | |
L6116IC20L | ETC |
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x8 SRAM | |
L6116IC25 | LOGIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24 | |
L6116IC25L | LOGIC |
获取价格 |
Standard SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24 | |
L6116IC35 | ETC |
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x8 SRAM | |
L6116IC35L | LOGIC |
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Standard SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, CDIP24, 0.600 INCH, CERDIP-24 | |
L6116IC45 | ETC |
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x8 SRAM | |
L6116IC85 | ETC |
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x8 SRAM |