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KX063FC640

更新时间： 2024-09-13 20:02:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅栅极
页数 文件大小 规格书
11页 268K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 5670A I(T)RMS, 6400V V(DRM), 6400V V(RRM), 1 Element

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KX063FC640 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DISK BUTTON, O-CXDB-X4
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：600 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：DISK BUTTON认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：5670 A断态重复峰值电压：6400 V
重复峰值反向电压：6400 V表面贴装：YES
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UNSPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

KX063FC640 数据手册

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Date:- 18 Sep, 2002  
Data Sheet Issue:- 1  
WESTCODE  
An IXYS Company  
Prospective Data  
Medium Voltage Thyristor  
Types KX063FC600 to KX063FC650  
Old Type No.: P1083CH60-65  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
6000-6500  
6000-6500  
6000-6500  
6100-6600  
V
V
V
V
MAXIMUM  
LIMITS  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(AV)M  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
2808  
A
A
1784  
1092  
A
5670  
A
5024  
A
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
35.4  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
ITSM2  
≤
39.0  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm 10V, (note 5)  
I2t  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
6.27×106  
7.61×106  
200  
I2t  
≤
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm 10V, (note 5)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive, 60s), (Note 6)  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
(di/dt)cr  
400  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
5
Mean forward gate power  
4
W
Peak forward gate power  
60  
W
Tj op  
Operating temperature range  
-40 to +115  
-55 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 115°C Tj initial.  
≤
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr 0.5µs, Tcase=115°C.  
Prospective Data Sheet. Types KX063FC600 to KX063FC650 Issue 1  
Page 1 of 11  
September, 2002  
1234567...11

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与KX063FC640相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KX063FC650 IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 5670A I(T)RMS, 6500V V(DRM), 6500V V(RRM), 1 Element
KX06C12000J0G AMPHENOL

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 		Barrier Strip Terminal Block
KX06C12100J0G AMPHENOL

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 		Barrier Strip Terminal Block
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 		Barrier Strip Terminal Block
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