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KTN2222AE

更新时间： 2024-11-04 11:32:23

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
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4页	48K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

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KTN2222AE 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.6 A	集电极-发射极最大电压：	40 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	75
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
最大关闭时间（toff）：	285 ns	最大开启时间（吨）：	35 ns
Base Number Matches：	1

KTN2222AE 数据手册

SEMICONDUCTOR

KTN2222AE

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

GENERAL PURPOSE APPLICATION.

SWITCHING APPLICATION.

FEATURES

Low Leakage Current

DIM MILLIMETERS

: I_CEX=10nA(Max.) ; V_CE=60V, V_EB(OFF)=3V.

Low Saturation Voltage

1.60+0.10

0.85 0.10

0.70 0.10

: V_CE(sat)=0.3V(Max.) ; I_C=150mA, I_B=15mA.

Complementary to KTN2907AE.

0.27+0.10/-0.05

1.60 0.10

1.00 0.10

0.50

0.13+0.05

MAXIMUM RATING (Ta=25

CHARACTERISTIC

)

1. EMITTER

2. BASE

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

3. COLLECTOR

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

ESM

600

P_C

100

Collector Power Dissipation (Ta=25

Junction Temperature

)

T_j

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55 150

Marking

Z G

2004. 1. 29

Revision No : 0

1/4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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