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KST63 PDF预览

KST63

更新时间： 2024-09-26 22:47:27
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
Darlington Transistor

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KST63 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.89Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE)：10000
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：125 MHzBase Number Matches：1

KST63 数据手册

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KST63/64  
Darlington Transistor  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
-30  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-30  
V
CES  
EBO  
-10  
V
I
-500  
350  
150  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Storage Temperature  
C
T
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
BV  
I = -100, V =0  
-30  
V
CES  
CBO  
EBO  
C
BE  
I
I
V
= -30V, I =0  
-100  
-100  
nA  
nA  
CE  
EB  
E
Emitter Cut-off Current  
V
= -10V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
: KST63  
FE  
V
V
= -5V, I = -10mA  
5K  
CE  
CE  
C
: KST64  
: KST63  
: K ST64  
10K  
10K  
20K  
= -5V, I = -100mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -100mA, I = -0.1mA  
-1.5  
-2.0  
V
V
CE  
C
B
V
= -5V, I = -100mA  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA  
125  
MHz  
T
CE  
C
f=100MHz  
* Pulse test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
Marking Code  
Type  
KST63  
KST64  
2V  
Mark  
2U  
Marking  
2U  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, November 2002  
1234

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