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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.53 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 50 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KST56S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KST56TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| KST56TR | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| KST63 | FAIRCHILD |
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Darlington Transistor |
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| KST63D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KST63MTF | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, |
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| KST63MTF_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, LEAD FREE PACKAGE-3 |
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| KST63S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| KST63TF | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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| KST63TI | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, |
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