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KST10D27Z PDF预览

KST10D27Z

更新时间： 2024-09-17 20:37:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 88K
描述
RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-92

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KST10D27Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.7
基于收集器的最大容量：0.7 pF集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：650 MHz
Base Number Matches：1

KST10D27Z 数据手册

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KST10/11  
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
AMPLIFIER TRANSITOR  
TO-92  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Dissipation (TA=25°C)  
Derate above 25°C  
Collector Dissipation (TA=25°C)  
Derate above 25°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
PC  
30  
25  
3.0  
350  
V
V
V
mW  
mW/°C  
W
2.8  
1.0  
8.0  
PC  
W/°C  
°C  
°C  
°C/W  
°C/W  
TJ  
TSTG  
Rth(j-c)  
Rth(j-a)  
150  
-55~150  
125  
357  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
30  
25  
3.0  
Max  
Unit  
IC=100mA, IE=0  
IC=1mA, IB=0  
IE=10mA, IC=0  
VCB=25V, IE=0  
Collector-Baser Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
V
V
V
nA  
nA  
100  
100  
VEB=2V, IC=0  
Emitter Cut-off Current  
IEBO  
VCE=10V, IC=4mA  
IC=4mA, IB=0.4mA  
VCE=10V, IC=4mA  
VCE=10V, IC=4mA  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
VCB=10V, IE=0, f=1MHz  
hFE  
60  
DC Current Gain  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Collector Base Capacitance  
Collector Base Feedback Capacitance  
V
V
MHz  
pF  
0.5  
0.95  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
CCB  
650  
CRB  
0.7  
pF  
pF  
ps  
Cc·rbb´  
0.35  
0.6  
: KSP10  
: KSP11  
0.65  
0.9  
9.0  
VCB=10V, IC=4mA, f=31.8MHz  
Collector Base Time Constant  
* Pulse Test: PW£300ms, Duty Cycle£2%  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234

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