5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSR1110MTF
KSR1110MTF PDF预览

KSR1110MTF

更新时间： 2024-11-08 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

阅读下载

中文翻译

获取价格

KSR1110MTF 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.92其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

KSR1110MTF 数据手册

 浏览型号KSR1110MTF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSR1110MTF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KSR1110MTF的Datasheet PDF文件第4页 
KSR1110  
Switching Application (Bias Resistor Built In)  
•
•
•
Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit  
Built in bias Resistor (R=10KΩ)  
Complement to KSR2110  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Equivalent Circuit  
C
Marking  
R10  
R
B
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
E
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
40  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
200  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise notedꢀ  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
40  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
C
E
BV  
I =1mA, I =0  
40  
E
B
I
V
=30V, I =0  
0.1  
600  
0.3  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
V
=5V, I =1mA  
100  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
V
CE  
C
B
C
V
=10V, I =0  
3.7  
pF  
ob  
CB  
E
f=1MHz  
f
Current Gain Bandwidth Product  
Input Resistor  
V
=10V, I =5mA  
250  
10  
MHz  
T
CE  
C
R
7
13  
KΩ  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, February 2000  
1234

中文翻译

下载PDF

与KSR1110MTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSR1110S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KSR1110-T1 SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
KSR1110TI SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
KSR1111 SAMSUNG

获取价格

 		NPN (SWITCHING APPLICATION)
KSR1111D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KSR1111L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KSR1111S62Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
KSR1111TF SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
KSR1111TI SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,
KSR1111TR SAMSUNG

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SOT-23,

与KSR1110MTF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证