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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.65 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 800 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KSC5027RTU | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC5029 | FAIRCHILD | High Voltage and High Reliabilty |
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| KSC5029N | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| KSC5029O | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| KSC5029OTU | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| KSC5029-R | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy |
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