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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSC1675RBU
KSC1675RBU PDF预览

KSC1675RBU

更新时间： 2024-11-05 23:16:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
4页 44K
描述
FM/AM RF AMP, MIX, CONV,OSC,IF

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KSC1675RBU 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.52最大集电极电流 (IC)：0.05 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.25 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

KSC1675RBU 数据手册

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KSC1675  
FM/AM RF AMP, MIX, CONV,OSC,IF  
•
•
•
•
Collector-Base Voltage : V  
High Current Gain Bandwidth Product : f =300MHz (TYP.)  
Low Collector Capacitance : C =2.0pF (TYP.)  
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
=30V  
CEO  
T
OB  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
50  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
30  
V
CEO  
EBO  
5
V
I
50  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
250  
C
TJ  
150  
T
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
50  
30  
5
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I =10µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I =5mA, I =0  
C B  
I =10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
=50V, I =0  
0.1  
0.1  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
V
=5V, I =0  
C
h
DC Current Gain  
=6V, I =1mA  
40  
240  
0.75  
0.3  
FE  
C
V
V
(on)  
Base-Emitter On Voltage  
=6V, I =1mA  
0.67  
0.08  
300  
2.0  
V
V
BE  
C
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =10mA, I =1mA  
C B  
CE  
f
V
=6V, I =1mA  
150  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
=6V, I =0, f=1MHz  
2.5  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, September 2002  
1234

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