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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 300 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 15 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 80 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC1507G | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| KSC1507-G | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| KSC1507GJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| KSC1507O | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| KSC1507OJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| KSC1507OTU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| KSC1507R | FAIRCHILD |
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暂无描述 |
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| KSC1507RJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| KSC1507Y | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| KSC1507-Y | SAMSUNG |
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Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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