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KSC1507Y PDF预览

KSC1507Y

更新时间： 2024-11-14 21:12:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC1507Y 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：15 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

KSC1507Y 数据手册

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KSC1507  
Color TV Chroma Output  
•
•
High Collector-Emitter Voltage : V  
=300V  
CEO  
Current Gain Bandwidth Product : f =40MHz (Min.)  
T
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
300  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
300  
7
V
I
0.2  
mA  
W
°C  
°C  
C
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
15  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
V
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I
I
I
= 100µA, I = 0  
300  
300  
7
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
E
BV  
BV  
= 10mA, I = 0  
V
B
= - 10µA, I = 0  
V
C
I
V
V
= 200V, I = 0  
100  
240  
2.0  
µA  
CBO  
CB  
CE  
E
h
DC Current Gain  
= 10V, I = 10mA  
40  
40  
FE  
C
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I
= 50mA, I = 5mA  
V
CE  
C
B
f
V
V
= 30V, I = 10mA  
80  
4
MHz  
pF  
T
CE  
C
C
= 50V, I = 0,  
E
ob  
CB  
f = 1MHz  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A3, September 2002  
1234

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KSC1507Y 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
KSD73O FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
KSD401O FAIRCHILD

类似代替

 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast

与KSC1507Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC1507-Y SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
KSC1507YJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
KSC1507YTSTU ROCHESTER

获取价格

 		0.2A, 300V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
KSC1507YTU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
KSC151G50LFG CK-COMPONENTS

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 		Sealed Tact Switch for SMT
KSC151G50LFS CK-COMPONENTS

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 		Sealed Tact Switch for SMT
KSC151G50SHLFG ITT

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