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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | TO-220, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT APPLICABLE | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KSB601 | FAIRCHILD | Low Frequency Power Amplifier |
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| KSB601O | FAIRCHILD | Low Frequency Power Amplifier |
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| KSB601-O | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSB601OJ69Z | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSB601OTU | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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| KSB601R | FAIRCHILD | Low Frequency Power Amplifier |
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