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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSA709
KSA709 PDF预览

KSA709

更新时间： 2024-11-17 22:47:31
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器
页数 文件大小 规格书
4页 39K
描述
High Voltage Amplifier

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KSA709 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.7 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

KSA709 数据手册

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KSA709  
High Voltage Amplifier  
•
•
•
•
Collector-Base Voltage : V  
Collector Power Dissipation : P =800mW  
Complement to KSC1009  
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
= -160V  
CBO  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-160  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-150  
V
CEO  
EBO  
-8  
V
I
-700  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
800  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-160  
-150  
-8  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -10mA, I =0  
C B  
I = -100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -100V, I =0  
-0.1  
-0.1  
400  
-0.4  
-1.0  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
= -5V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
= -2V, I = -50mA  
70  
FE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -200mA, I = -20mA  
-0.3  
-0.9  
50  
V
V
CE  
BE  
C
B
I = -200mA, I = -20mA  
C
B
f
V
= -10V, I = -50mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
= -10V, I =0, f=1MHz  
10  
ob  
E
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty cycle≤2%  
h
Classification  
FE  
Classification  
O
Y
G
h
70 ~ 140  
120 ~ 240  
200 ~ 400  
FE  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, April 2004  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSA709C FAIRCHILD

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 		700 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN
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 		暂无描述
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 		700 mA, 150 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, TO-92, 3 PIN
KSA709-CG FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
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