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KSA709YJ18Z

更新时间： 2024-11-06 13:51:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 81K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, 3 PIN

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KSA709YJ18Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.71
最大集电极电流 (IC)：0.7 A集电极-发射极最大电压：150 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KSA709YJ18Z 数据手册

 浏览型号KSA709YJ18Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSA709YJ18Z的Datasheet PDF文件第3页 
KSA709  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
HIGH VOLTAGE AMPLIFIER  
· Collector-Base Voltage: VCBO= -160V  
· Collector Dissipation: PC=800mW  
· Complement to KSC1009  
TO-92  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PC  
TJ  
-160  
-150  
-8  
-700  
800  
150  
-55 ~ 150  
V
V
V
mA  
mW  
°C  
°C  
TSTG  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IC= -100mA, IE=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
BVCBO  
-160  
-150  
-8  
V
V
V
mA  
mA  
IC= -10mA, IB=0  
IE= -100mA, IC=0  
VCB= -100V, IE=0  
VEB= -5V, IC=0  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
-0.1  
-0.1  
400  
-0.4  
-1.0  
VCE= -2V, IC= -50mA*  
40  
IC= -200mA, IB= -20mA*  
IC= -200mA, IC= -20mA*  
VCE= -10V, IC= -50mA  
VCB= -10V, IE=0  
V
V
MHz  
pF  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Current-Gain-Bandwidth Product  
Output Capacitance  
VCE (sat)  
VBE (sat)  
fT  
-0.3  
-0.9  
50  
COB  
10  
f=1MHz  
* Pulse Test: PW£350ms, Duty cycle£2%  
hFE CLASSIFICATION  
Classification  
R
O
Y
G
hFE  
40-80  
70-140  
120-240  
200-400  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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