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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSA643YBU
KSA643YBU PDF预览

KSA643YBU

更新时间： 2024-11-18 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

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KSA643YBU 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.76最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSA643YBU 数据手册

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KSA643  
Low Frequency Power Amplifier  
•
•
•
Collector Power Dissipation: P =500mW  
Complement to KSD261  
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
C
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-40  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
CBO  
-20  
V
CEO  
EBO  
-5  
V
I
I
Collector Current (DC)  
* Collector Current (pulse)  
-500  
-700  
500  
mA  
mA  
mW  
°C  
C
CP  
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
* PW≤10ms, Duty cycle≤50%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-40  
-20  
-5  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -10mA, I =0  
C B  
I = -10µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -25V, I =0  
-200  
-200  
400  
nA  
nA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
= -3V, l =0  
C
h
* DC Current Gain  
= -1V, I = -100mA  
40  
FE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.3  
-1.0  
- 0.4  
-1.3  
V
V
CE  
C
B
I = -500mA, I = -50mA  
BE  
C
B
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty cycle≤2%  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
120 ~ 240  
G
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
200 ~ 400  
FE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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