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KSA708CO PDF预览

KSA708CO

更新时间： 2024-11-20 17:38:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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KSA708CO 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.7
最大集电极电流 (IC)：0.7 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

KSA708CO 数据手册

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KSA708  
Low Frequency Amplifier & Medium Speed  
Switching  
•
•
•
•
Complement to KSC1008  
Collector-Base Voltage : V  
Collector Power Dissipation : P =800mW  
= -80V  
CBO  
C
Suffix “-C” means Center Collector (1. Emitter 2. Collector 3. Base)  
TO-92  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
-80  
Units  
V
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
CBO  
-60  
V
CEO  
EBO  
-8  
V
I
-700  
800  
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
-80  
-60  
-8  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
I = -100µA, I =0  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
E
BV  
BV  
I = -10mA, I =0  
C B  
I = -100µA, I =0  
V
E
C
I
I
V
= -60V, I =0  
-0.1  
-0.1  
240  
-0.7  
1.1  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
CE  
E
Emitter Cut-off Current  
V
V
= -5V, I =0  
C
h
* DC Current Gain  
= -2V, I = -50mA  
40  
FE  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.3  
-0.9  
50  
V
V
CE  
C
B
I = -500mA, I = -50mA  
BE  
C
B
f
V
= -10V, I = -50mA  
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
C
V
= -10V, I =0, f=1MHz  
13  
ob  
E
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty cycle≤2%  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, August 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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