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KSA643D26Z

更新时间： 2024-11-20 19:46:51
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 72K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92

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KSA643D26Z 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.76
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：20 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSA643D26Z 数据手册

 浏览型号KSA643D26Z的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KSA643D26Z的Datasheet PDF文件第3页 
KSA643  
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR  
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER  
· Complement to KSD261  
TO-92  
· Collector Dissipation: PC =500mW  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA =25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (pulse)*  
Collector Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
VCBO  
-40  
-20  
-5  
-500  
-700  
500  
V
V
V
mA  
mA  
mW  
°C  
°C  
VCEO  
VEBO  
IC (DC)  
IC (Pulse)*  
PC  
TJ  
TSTG  
150  
-55 ~ 150  
* PW£10ms, Duty cycle£50%  
1. Emitter 2. Base 3. Collector  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA =25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
IC= -100mA, IE=0  
IC= -10mA, IB=0  
IE= -10mA, IC=0  
VCB= -25V, IE=0  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
BVCBO  
-40  
-20  
-5  
V
V
V
nA  
nA  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
IEBO  
hFE  
-200  
-200  
400  
- 0.4  
-1.3  
VEB= -3V, lC=0  
VCE= -1V, IC= -100mA *  
IC= -500mA, IB= -50mA*  
IC= -500mA, IB= -50mA*  
40  
VCE(sat)  
V
V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
-0.3  
-1.0  
VBE(sat)  
* Pulse Test: PW£350ms, Duty cycle£2%  
hFE CLASSIFICATION  
Classification  
R
O
Y
G
hFE  
40-80  
70-140  
120-240  
200-400  
Rev. B  
ã
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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