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KRC858U PDF预览

KRC858U

更新时间： 2024-11-19 23:15:11
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体开关晶体管光电二极管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
4页 92K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

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KRC858U 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.77Is Samacsys：N
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-G6
元件数量：2端子数量：6
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

KRC858U 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KRC857U~KRC859U  
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.  
B
B1  
FEATURES  
ᴌWith Built-in Bias Resistors.  
ᴌSimplify Circuit Design.  
DIM MILLIMETERS  
1
2
3
6
5
4
_
A
A1  
B
2.00+0.20  
_
1.3+0.1  
_
2.1+0.1  
ᴌReduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.  
ᴌHigh Packing Density.  
D
_
B1  
C
1.25+0.1  
0.65  
0.2+0.10/-0.05  
0-0.1  
D
G
_
H
T
0.9+0.1  
0.15+0.1/-0.05  
T
EQUIVALENT CIRCUIT  
OUT  
BIAS RESISTOR VALUES  
G
TYPE NO.  
KRC857U  
KRC858U  
KRC859U  
R1(kή) R2(kή)  
10  
22  
47  
47  
47  
22  
1. Q COMMON (EMITTER)  
1
2. Q IN (BASE)  
3. Q OUT (COLLECTOR)  
2
4. Q COMMON (EMITTER)  
5. Q IN (BASE)  
2
6. Q OUT (COLLECTOR)  
R1  
IN  
1
2
R2  
1
COMMON  
US6  
EQUIVALENT CIRCUIT (TOP VIEW)  
6
5
4
Q1  
Q2  
1
2
3
MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VO  
RATING  
50  
UNIT  
V
Output Voltage  
Input Voltage  
KRC857Uᴕ859U  
KRC857U  
30, -6  
40, -7  
40,-15  
100  
VI  
KRC858U  
V
KRC859U  
IO  
PD *  
Tj  
Output Current  
mA  
mW  
ᴱ
Power Dissipation  
Junction Temperature  
200  
KRC857Uᴕ859U  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
* Total Rating.  
-55ᴕ150  
ᴱ
Marking  
Type Name  
6
5
4
3
MARK SPEC  
TYPE  
KRC857U  
NH  
KRC858U  
NI  
KRC859U  
NJ  
MARK  
1
2
2002. 1. 24  
Revision No : 2  
1/4  
1234

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