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KRC245M

更新时间: 2024-11-05 22:47:31
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KEC 晶体开关晶体管驱动局域网
页数 文件大小 规格书
5页 727K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)

KRC245M 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92M
包装说明:CYLINDRICAL, R-PBCY-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.78
Is Samacsys:N其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC):0.8 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE):56
JESD-30 代码:R-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):200 MHz
Base Number Matches:1

KRC245M 数据手册

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