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KRC281M

更新时间： 2024-11-05 22:47:31

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KEC		晶体开关晶体管局域网
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2页	383K
描述
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (SWITCHING, AUDIO MUTING)

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KRC281M 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92M
包装说明：	TO-92M, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.3 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	350
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	30 MHz
Base Number Matches：	1

KRC281M 数据手册

SEMICONDUCTOR

KRC281M~KRC286M

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

AUDIO MUTING APPLICATION.

FEATURES

High emitter-base voltage : V_EBO=25V(Min)

High reverse h_FE: reverse h_FE=150(Typ.) (V_CE=-2V, I_C=-4mA)

Low on resistance : R_on=1 (Typ.) (I_B=5mA)

With Built-in Bias Resistors.

DIM MILLIMETERS

3.20 MAX

4.30 MAX

0.55 MAX

2.40+0.15

1.27

2.30

Simplify Circuit Design.

14.00+0.50

Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

0.60 MAX

1.05

1.45

EQUIVALENT CIRCUIT

0.80

0.55 MAX

0.75

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

TO-92M

MAXIMUM RATING (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

Collector-Base Voltage

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

RATING

UNIT

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

300

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature Range

400

T_j

150

T_stg

-55 150

2002. 12. 5

Revision No : 1

1/2

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