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KRA302E

更新时间： 2024-11-18 22:47:31

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KEC		晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数	文件大小	规格书
6页	114K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

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KRA302E 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

KRA302E 数据手册

SEMICONDUCTOR

KRA301E~KRA306E

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

TECHNICAL DATA

SWITCHING APPLICATION.

INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.

FEATURES

MILLIMETERS

DIM

ᴌWith Built-in Bias Resistors.

ᴌSimplify Circuit Design.

1.60 0.10

0.85 0.10

0.70 0.10

ᴌReduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process.

ᴌHigh Packing Density.

0.27+0.10/-0.05

1.60 0.10

1.00 0.10

0.50

0.13+0.05

EQUIVALENT CIRCUIT

OUT

BIAS RESISTOR VALUES

TYPE NO.

KRA301E

KRA302E

KRA303E

KRA304E

KRA305E

KRA306E

R1(kή) R2(kή)

4.7

1. COMMON (EMITTER)

2. IN (BASE)

3. OUT (COLLECTOR)

2.2

4.7

COMMON(+)

ESM

MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ)

CHARACTERISTIC

SYMBOL

V_O

RATING

-50

UNIT

Output Voltage

KRA301Eᴕ306E

KRA301E

-20, 10

-30, 10

-40, 10

-12, 5

-20, 5

-100

KRA302E

KRA303E

V_I

Input Voltage

KRA304E

KRA305E

KRA306E

I_O

P_D

T_j

Output Current

ᴱ

Power Dissipation

100

KRA301Eᴕ306E

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55ᴕ150

ᴱ

Marking

MARK SPEC

Type Name

TYPE

KRA301E KRA302E KRA303E KRA304E KRA305E

KRA306E

MARK

1999. 6. 8

Revision No : 0

1/6

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KRA302E_00	KEC	获取价格	ESM PACKAGE
KRA302V	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
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KRA303_08	KEC	获取价格	USM PACKAGE
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KRA303V	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
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