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KRA307E

更新时间: 2024-01-21 13:23:47
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KEC 晶体晶体管开关光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 91K
描述
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR

KRA307E 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.74Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):80JESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

KRA307E 数据手册

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SEMICONDUCTOR  
KRA307E~KRA309E  
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
SWITCHING APPLICATION.  
INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT APPLICATION.  
E
B
FEATURES  
MILLIMETERS  
_
DIM  
A
With Built-in Bias Resistors  
Simplify Circuit Design  
+
1.60 0.10  
D
_
+
0.85 0.10  
2
1
B
_
+
0.70 0.10  
C
D
E
Reduce a Quantity of Parts and Manufacturing Process  
High Packing Density.  
3
0.27+0.10/-0.05  
_
+
1.60 0.10  
_
+
1.00 0.10  
G
H
0.50  
_
0.13+0.05  
J
J
EQUIVALENT CIRCUIT  
BIAS RESISTOR VALUES  
TYPE NO.  
KRA307E  
KRA308E  
KRA309E  
R1(k  
10  
)
R2(k  
47  
)
OUT  
1. COMMON (EMITTER)  
2. IN (BASE)  
R1  
IN  
22  
47  
3. OUT (COLLECTOR)  
47  
22  
R2  
COMMON(+)  
ESM  
MAXIMUM RATING (Ta=25  
)
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
VO  
RATING  
UNIT  
Output Voltage  
Input Voltage  
-50  
-30, 6  
-40, 7  
-40, 15  
-100  
V
KRA307E 309E  
KRA307E  
VI  
KRA308E  
V
KRA309E  
IO  
PD  
Tj  
Output Current  
mA  
Power Dissipation  
Junction Temperature  
100  
mW  
KRA307E 309E  
150  
Tstg  
Storage Temperature Range  
-55 150  
Marking  
Type Name  
MARK SPEC  
TYPE  
KRA307E  
PH  
KRA308E  
PI  
KRA309E  
PJ  
MARK  
2003. 12. 23  
Revision No : 1  
1/4  

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