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KRA307V

更新时间： 2024-11-19 11:31:27

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KRA307V 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	80	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

SEMICONDUCTOR

MARKING SPECIFICATION

KRA306V

VSM PACKAGE

1. Marking method

Laser Marking

2. Marking

No.

Item

Marking

Description

Device Mark

hFE Grade

KRA306V

2002. 12. 31

Revision No : 0

1/1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KRA308	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
KRA308_08	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KRA308E	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
KRA308V	KEC	获取价格	VSM PACKAGE
KRA309	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
KRA309_08	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KRA309E	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
KRA309V	KEC	获取价格	VSM PACKAGE
KRA310	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
KRA310_08	KEC	获取价格	USM PACKAGE