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KRA308V

更新时间: 2024-09-27 12:20:23
品牌 Logo 应用领域
KEC 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
1页 365K
描述
VSM PACKAGE

KRA308V 技术参数

生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.75
风险等级:5.75Is Samacsys:N
其他特性:BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.14最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):80JESD-30 代码:R-PDSO-F3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:PNP
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

KRA308V 数据手册

  
SEMICONDUCTOR  
MARKING SPECIFICATION  
KRA308V  
VSM PACKAGE  
1. Marking method  
Laser Marking  
2. Marking  
PI  
No.  
Item  
Marking  
Description  
Device Mark  
hFE Grade  
PI  
-
KRA308V  
-
2002. 12. 31  
Revision No : 0  
1/1  

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