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KRA316V

更新时间： 2024-11-19 11:31:27

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KRA316V 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.75	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	33
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

SEMICONDUCTOR

MARKING SPECIFICATION

KRA316V

VSM PACKAGE

1. Marking method

Laser Marking

2. Marking

No.

Item

Marking

Description

Device Mark

hFE Grade

KRA316V

2002. 12. 31

Revision No : 0

1/1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KRA317	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
KRA317_08	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KRA317E	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
KRA317V	KEC	获取价格	VSM PACKAGE
KRA318	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
KRA318_08	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KRA318E	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
KRA318V	KEC	获取价格	VSM PACKAGE
KRA319	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
KRA319_08	KEC	获取价格	USM PACKAGE