Datasheet > KRA309V

KRA309V

更新时间： 2024-01-01 08:27:48

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KRA309V 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.78	Is Samacsys：	N
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

SEMICONDUCTOR

MARKING SPECIFICATION

KRA309V

VSM PACKAGE

1. Marking method

Laser Marking

2. Marking

No.

Item

Marking

Description

Device Mark

hFE Grade

KRA309V

2002. 12. 31

Revision No : 0

1/1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KRA310	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
KRA310_08	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KRA310E	KEC	获取价格	ESM PACKAGE
KRA310V	KEC	获取价格	VSM PACKAGE
KRA311	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
KRA311_08	KEC	获取价格	USM PACKAGE
KRA311E	KEC	获取价格	ESM PACKAGE
KRA311V	KEC	获取价格	VSM PACKAGE
KRA312	KEC	获取价格	EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT)
KRA312_08	KEC	获取价格	USM PACKAGE