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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| KRA307E | KEC |
完全替代  |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
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| KRA307 | KEC |
完全替代 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KRA306E | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
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| KRA306V | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
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| KRA306V_02 | KEC |
获取价格 |
VSM PACKAGE |
|
| KRA307 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) |
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| KRA307_08 | KEC |
获取价格 |
USM PACKAGE |
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| KRA307E | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
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| KRA307V | KEC |
获取价格 |
VSM PACKAGE |
|
| KRA308 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) |
|
| KRA308_08 | KEC |
获取价格 |
USM PACKAGE |
|
| KRA308E | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
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