5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 200 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| KRA307E | KEC |
完全替代  |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
|
| KRA304V | KEC |
类似代替 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KRA307_08 | KEC |
获取价格 |
USM PACKAGE |
|
| KRA307E | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
|
| KRA307V | KEC |
获取价格 |
VSM PACKAGE |
|
| KRA308 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) |
|
| KRA308_08 | KEC |
获取价格 |
USM PACKAGE |
|
| KRA308E | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
|
| KRA308V | KEC |
获取价格 |
VSM PACKAGE |
|
| KRA309 | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (SWITCHING, INTERFACE CIRCUIT AND DRIVER CIRCUIT) |
|
| KRA309_08 | KEC |
获取价格 |
USM PACKAGE |
|
| KRA309E | KEC |
获取价格 |
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
