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KMM5324000BKG-6

更新时间： 2024-09-15 15:36:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
6页	234K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

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KMM5324000BKG-6 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SSIM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	60 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	备用内存宽度：	16
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XSMA-N72
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	72
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	SIMM	封装等效代码：	SSIM72
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	25.4 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.008 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.64 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KMM5324000BSW	SAMSUNG	获取价格	4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5324000BSW-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM5324000BSW-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5324000BSWG	SAMSUNG	获取价格	4M x 32 DRAM SIMM Using 4Mx16, 4K Refresh, 5V
KMM5324000BSWG-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM5324000CK	SAMSUNG	获取价格	4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5324000CKG	SAMSUNG	获取价格	4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5324000CV-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5324000CVG-5	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
KMM5324000VP-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72