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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIMM |
| 包装说明： | DIMM, DIMM168 | 针数： | 168 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.32 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 100 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 | 内存密度： | 1073741824 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 168 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 16MX64 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM168 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 4096 |
| 自我刷新： | YES | 最大待机电流： | 0.016 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM366S1623CTY-GL0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| KMM366S1623DTL | SAMSUNG |
获取价格 |
PC66 Unbuffered DIMM |
|
| KMM366S1623DTL-G | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| KMM366S1623DTL-G0 | SAMSUNG |
获取价格 |
PC66 Unbuffered DIMM |
|
| KMM366S1623DTL-GO | SAMSUNG |
获取价格 |
PC66 Unbuffered DIMM |
|
| KMM366S163BT-GB | SAMSUNG |
获取价格 |
PC100 SDRAM MODULE |
|
| KMM366S163BT-GH | SAMSUNG |
获取价格 |
PC100 SDRAM MODULE |
|
| KMM366S163BT-GL | SAMSUNG |
获取价格 |
PC100 SDRAM MODULE |
|
| KMM366S203BTN-G0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 2MX64, 7ns, CMOS, PDMA168 |
|
| KMM366S203BTN-G2 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 2MX64, 8ns, CMOS, PDMA168 |
|
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