KMM366S1623CT-GH

更新时间： 2024-11-24 22:19:51

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路动态存储器 PC 时钟
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PC100 SDRAM MODULE Preliminary

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KMM366S1623CT-GH 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	DIMM, DIMM168
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N168
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度：	64	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	168
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	16MX64
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM168
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	最大待机电流：	0.016 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	2 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

KMM366S1623CT-GH 数据手册

Preliminary

KMM366S1623CT

PC100 SDRAM MODULE

KMM366S1623CT SDRAM DIMM

16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD

GENERAL DESCRIPTION

FEATURE

The Samsung KMM366S1623CT is a 16M bit x 64 Synchronous

Dynamic RAM high density memory module. The Samsung

KMM366S1623CT consists of sixteen CMOS 8M x 8 bit with

4banks Synchronous DRAMs in TSOP-II 400mil package and a

2K EEPROM in 8-pin TSSOP package on a 168-pin glass-epoxy

substrate. Two 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the

printed circuit board in parallel for each SDRAM.

• Performance range

Part No.

Max Freq. (Speed)

125MHz (8ns @ CL=3)

100MHz (10ns @ CL=2)

100MHz (10ns @ CL=3)

KMM366S1623CT-G8

KMM366S1623CT-GH

KMM366S1623CT-GL

• Burst mode operation

• Auto & self refresh capability (4096 Cycles/64ms)

• LVTTL compatible inputs and outputs

• Single 3.3V ± 0.3V power supply

The KMM366S1623CT is a Dual In-line Memory Module and is

intended for mounting into 168-pin edge connector sockets.

Synchronous design allows precise cycle control with the use of

system clock. I/O transactions are possible on every clock cycle.

Range of operating frequencies, programmable latencies allows

the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high

performance memory system applications.

•

MRS cycle with address key programs

Latency (Access from column address)

Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)

Data scramble (Sequential & Interleave)

• All inputs are sampled at the positive going edge of the

system clock

• Serial presence detect with EEPROM

• PCB : Height (1,375mil), double sided component

PIN CONFIGURATIONS (Front side/back side)

PIN NAMES

Pin Front Pin Front

Front Pin Back Pin Back Pin Back

Pin Name

A0 ~ A11

Function

Address input (Multiplexed)

Select bank

VSS

29 DQM1

DQ18 85

DQ19 86 DQ32 114 CS1 142 DQ51

87 DQ33 115 RAS 143 VDD

DQ20 88 DQ34 116 VSS 144 DQ52

VSS 113 DQM5 141 DQ50

BA0 ~ BA1

DQ0 ~ DQ63

DQ0 30

DQ1 31

DQ2 32

DQ3 33

CS0

VSS

Data input/output

VDD

CLK0 ~ CLK3 Clock input

*VREF 90

CKE1 91 DQ36 119

92 DQ37 120

DQ21 93 DQ38 121

89 DQ35 117

145 NC

146 *VREF

147 NC

148 VSS

149 DQ53

CKE0 ~ CKE1 Clock enable input

VDD

VDD 118

CS0 ~ CS3

RAS

Chip select input

Row address strobe

Column address strobe

Write enable

DQ4 35

DQ5 36

DQ6 37

VSS

CAS

10 DQ7 38 A10/AP

DQ22 94 DQ39 122 BA0 150 DQ54

DQ23 95 DQ40 123 A11 151 DQ55

11 DQ8 39

12 40

13 DQ9 41

BA1

VDD

DQM0 ~ 7

VDD

DQM

VSS

VSS 124 VDD 152 VSS

DQ24 97 DQ41 125 CLK1 153 DQ56

DQ25 98 DQ42 126 *A12 154 DQ57

DQ26 99 DQ43 127 VSS 155 DQ58

DQ27 100 DQ44 128 CKE0 156 DQ59

VDD 101 DQ45 129 CS3 157 VDD

DQ28 102 VDD 130 DQM6 158 DQ60

DQ29 103 DQ46 131 DQM7 159 DQ61

DQ30 104 DQ47 132 *A13 160 DQ62

DQ31 105 *CB4 133 VDD 161 DQ63

Power supply (3.3V)

Ground

14 DQ10 42 CLK0

VSS

15 DQ11 43

16 DQ12 44

17 DQ13 45

VSS

CS2

*VREF

SDA

Power supply for reference

Serial data I/O

Serial clock

VDD

46 DQM2

SCL

19 DQ14 47 DQM3

SA0 ~ 2

Address in EEPROM

Write protection

Don¢t use

20 DQ15 48

21 *CB0 49

22 *CB1 50

VDD

VSS 106 *CB5 134 NC

CLK2 107 VSS 135 NC

162 VSS

163 CLK3

VSS

VDD

No connection

*CB2

*CB3

VSS

108 NC

136 *CB6 164 NC

137 *CB7 165 **SA0

WP 109 NC

These pins are not used in this module.

** These pins should be NC in the system

**SDA 110 VDD 138 VSS 166 **SA1

**SCL 111 CAS 139 DQ48 167 **SA2

VDD 112 DQM4 140 DQ49 168 VDD

55 DQ16

which does not support SPD.

28 DQM0 56 DQ17

SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.

REV. 1 June 1998

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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KMM366S1623CTY	SAMSUNG	获取价格	PC100 SDRAM MODULE
KMM366S1623CTY-GH	SAMSUNG	获取价格	PC100 SDRAM MODULE
KMM366S1623CTY-GH0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
KMM366S1623CTY-GL	SAMSUNG	获取价格	PC100 SDRAM MODULE
KMM366S1623CTY-GL0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168
KMM366S1623DTL	SAMSUNG	获取价格	PC66 Unbuffered DIMM
KMM366S1623DTL-G	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM Module, 16MX64, 7ns, CMOS, DIMM-168
KMM366S1623DTL-G0	SAMSUNG	获取价格	PC66 Unbuffered DIMM
KMM366S1623DTL-GO	SAMSUNG	获取价格	PC66 Unbuffered DIMM

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