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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FAST PAGE WITH EDO |
| 最长访问时间： | 60 ns | 其他特性： | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-XDMA-N168 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM MODULE | 内存宽度： | 64 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 168 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX64 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KMM366F884CS1-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
EDO DRAM Module, 8MX64, 60ns, CMOS, DIMM-168 |
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| KMM366S104CT-G80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
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| KMM366S104CT-GH0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
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| KMM366S104CT-GL0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 1MX64, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
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| KMM366S1623AT | SAMSUNG |
获取价格 |
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
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| KMM366S1623AT-G0 | SAMSUNG |
获取价格 |
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
|
| KMM366S1623AT-G2 | SAMSUNG |
获取价格 |
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
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| KMM366S1623AT-G8 | SAMSUNG |
获取价格 |
16Mx64 SDRAM DIMM based on 8Mx8 4Banks, 4K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
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| KMM366S1623BT | SAMSUNG |
获取价格 |
PC100 SDRAM MODULE |
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| KMM366S1623BT-G8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 16MX64, 6ns, CMOS |
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