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KMC7D0CN20CA

更新时间： 2024-11-01 03:24:27

品牌	Logo	应用领域
KEC		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	598K
描述
Common N-Ch Trench MOSFET

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KMC7D0CN20CA 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Is Samacsys：	N	配置：	COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.0205 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KMC7D0CN20CA 数据手册

SEMICONDUCTOR

KMC7D0CN20CA

Common N-Ch Trench MOSFET

TECHNICAL DATA

General Description

Switching regulator and DC-DC Converter applications.

It s mainly suitable for Li-ion battery pack.

FEATURES

V_DSS=20V, I_D=7A.

Low Drain-Source On Resistance.

: R_DS(ON)=20.5m (Max.) @ V_GS=4.5V

: R_DS(ON)=21.0m (Max.) @ V_GS=4.0V

: R_DS(ON)=22.5m (Max.) @ V_GS=3.1V

: R_DS(ON)=26.0m (Max.) @ V_GS=2.5V

ESD Protection.

Super High Dense Cell Design.

MAXIMUM RATING (Ta=25

)

CHARACTERISTIC

SYMBOL RATING UNIT

V_DSS

V_GSS

I_D*

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Marking

Drain Current

I_DP

I_S*

P_D*

T_j

Pulsed

Source-Drain Diode Current

Drain Power Dissipation

1.7

1.5

Ta = 25

Maximum Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

T_stg

-55 150

83.3

R_thJA

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Note) * : Surface Mounted on 1 1 FR4 Board, t 10sec

2008. 3. 4

Revision No : 2

1/5

12 3 4 5

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