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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 9 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4718592 bit | 内存集成电路类型： | LATE-WRITE SRAM |
| 内存宽度： | 36 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 119 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX36 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2.5,3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.1 A |
| 最小待机电流： | 3.15 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.45 mA | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM736FV4002H-8 | SAMSUNG |
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Late-Write SRAM, 128KX36, 7ns, CMOS, PBGA119 |
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| KM736FV4011AH-33 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX36, 1.8ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
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| KM736FV4011AH-36 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX36, 1.9ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
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| KM736FV4011AH-4 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX36, 2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| KM736FV4011H-44 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX36, 2.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| KM736FV4011H-5 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
|
| KM736FV4011H-500 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX36, 2.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
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| KM736FV4011H-6 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
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| KM736FV4011H-600 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX36, 3ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, BGA-119 |
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| KM736FV4011H7 | SAMSUNG |
获取价格 |
SRAM |
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