是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SOIC | 包装说明: | SOP, SOP32,.56 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.86 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 100 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20.47 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP32,.56 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3 mm | 最大待机电流: | 0.000025 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | OTHER | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 11.43 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM68U1000BLGE-10L | SAMSUNG |
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128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM | |
KM68U1000BLGE-7 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
KM68U1000BLGE-7L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
KM68U1000BLGI-10 | SAMSUNG |
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128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM | |
KM68U1000BLGI-10L | SAMSUNG |
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128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM | |
KM68U1000BLGI-7 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
KM68U1000BLGI-7L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 | |
KM68U1000BLI | SAMSUNG |
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128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM | |
KM68U1000BLI/LI-L | SAMSUNG |
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128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM | |
KM68U1000BLR-10 | SAMSUNG |
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128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |