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KM68U1000BLRE-7

更新时间： 2024-11-13 20:58:35

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KM68U1000BLRE-7 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.56,20
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	70 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.56,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	3 V
认证状态：	Not Qualified	反向引出线：	YES
最大待机电流：	0.000025 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.04 mA
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM68U1000BLRE-7L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
KM68U1000BLRI-10	SAMSUNG	获取价格	128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM
KM68U1000BLRI-10L	SAMSUNG	获取价格	128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM
KM68U1000BLRI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
KM68U1000BLRI-7L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
KM68U1000BLT-10	SAMSUNG	获取价格	128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM
KM68U1000BLT-10L	SAMSUNG	获取价格	128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM
KM68U1000BLT-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
KM68U1000BLT-7L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
KM68U1000BLT-8L	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32