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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOP, SOP32,.56 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 85 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 131072 words | 字数代码： | 128000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 128KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP32,.56 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 最小待机电流： | 1 V |
| 子类别： | SRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM68FV1000GI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
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| KM68FV1000GI-700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
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| KM68FV1000GI-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
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| KM68FV1000GI-8H | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM68FV1000R-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM68FV1000RI-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM68FV1000T-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| KM68FV1000T-7H | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM68FV1000T-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| KM68FV1000TI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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