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KM68FV1000R-7

更新时间： 2024-09-25 18:28:43

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KM68FV1000R-7 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
反向引出线：	YES	最大待机电流：	0.000005 A
最小待机电流：	1.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.05 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM68FV1000RI-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32
KM68FV1000T-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
KM68FV1000T-7H	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32
KM68FV1000T-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
KM68FV1000TI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
KM68FV1000TI-700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
KM68FV1000TI-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
KM68FV1000TI-800	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 80ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
KM68FV1000TI-8H	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32
KM68FV2000R-8	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 85ns, CMOS, PDSO32