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KM68FV8100RI-7

更新时间: 2024-09-27 10:26:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 199K
描述
Standard SRAM, 1MX8, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44

KM68FV8100RI-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2-R, TSOP44,.46,32
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
备用内存宽度:1I/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:8388608 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:44
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:1MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2-R封装等效代码:TSOP44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.000006 A最小待机电流:1.5 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.04 mA
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

KM68FV8100RI-7 数据手册

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Preliminary  
KM68FV8100 Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
1M x8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
August 25, 1999  
Remark  
0.0  
Initial draft  
Preliminary  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to yourquestions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 0.0  
August 1999  

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