是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSOP1, TSSOP32,.56,20 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | BATTERY BACKUP | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 11.8 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 512KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装等效代码: | TSSOP32,.56,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.000015 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.016 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM68S4000CLTI-10L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 | |
KM68S4000CLTI-12L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, TSOP2-32 | |
KM68S4000CLYI-10L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
KM68S4000CLYI-12L | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 512KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
KM68U1000B | SAMSUNG |
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128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM | |
KM68U1000BL | SAMSUNG |
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128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM | |
KM68U1000BL/L-L | SAMSUNG |
获取价格 |
128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM | |
KM68U1000BLE | SAMSUNG |
获取价格 |
128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM | |
KM68U1000BLE/LE-L | SAMSUNG |
获取价格 |
128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM | |
KM68U1000BLG-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |