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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SOP, SOP32,.56 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装等效代码： | SOP32,.56 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM68U1000BLG-8L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM68U1000BLGE-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
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| KM68U1000BLGE-10L | SAMSUNG |
获取价格 |
128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
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| KM68U1000BLGE-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM68U1000BLGE-7L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
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| KM68U1000BLGI-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
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| KM68U1000BLGI-10L | SAMSUNG |
获取价格 |
128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
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| KM68U1000BLGI-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
|
| KM68U1000BLGI-7L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
|
| KM68U1000BLI | SAMSUNG |
获取价格 |
128K X 8bit Low Power and Low Voltage CMOS Statinc RAM |
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