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KM68FS1000TG-8

更新时间: 2024-11-11 14:51:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 407K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32

KM68FS1000TG-8 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:11.8 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
宽度:8 mmBase Number Matches:1

KM68FS1000TG-8 数据手册

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