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KM68512ALG-7

更新时间: 2024-11-30 23:14:15
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三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 145K
描述
64Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

KM68512ALG-7 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP32,.56
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
长度:20.47 mm内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP32,.56
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3 mm最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:11.43 mmBase Number Matches:1

KM68512ALG-7 数据手册

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KM68512A Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
64Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No.  
History  
Draft Data  
Remark  
0.0  
Initial draft  
Novemer 28, 1993  
May 13, 1994  
Design target  
Preliminary  
Final  
0.1  
1.0  
2.0  
Revision  
Finalize  
December 1, 1994  
August 12, 1995  
Revision  
Final  
- Add 45ns part with 30pf test load.  
3.0  
4.0  
Revision  
April 15, 1996  
Final  
Final  
- Change Data Sheet format :  
One data sheets for industrial and commercial product  
Revision  
January 9, 1998  
- Change Data Sheet format  
- Remove 45ns part from commercial product and 100ns part  
from industrial product  
- Remove low power part form TSOP package  
The attached data, sheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 4.0  
January 1997  

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