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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP32,.56 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 20.47 mm | 内存密度： | 524288 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP32,.56 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3 mm | 最大待机电流： | 0.000025 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 11.43 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM68512ALI | SAMSUNG |
获取价格 |
64Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| KM68512ALI-L | SAMSUNG |
获取价格 |
64Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| KM68512AL-L | SAMSUNG |
获取价格 |
64Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| KM68512AL-LG-10L-L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, SOP-32 |
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| KM68512AL-LG-5L-L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, SOP-32 |
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| KM68512AL-LG-7L-L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, SOP-32 |
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| KM68512AL-LG-85L-L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, SOP-32 |
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| KM68512AL-LP-10L-L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, DIP |
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| KM68512AL-LP-7L-L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 70ns, CMOS, DIP |
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| KM68512AL-LP-85L-L | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, DIP |
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