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KM68512AL-LP-85L-L

更新时间: 2024-12-01 19:39:11
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三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 50K
描述
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, DIP

KM68512AL-LP-85L-L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.83最长访问时间:85 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:64KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KM68512AL-LP-85L-L 数据手册

  

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