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KM684002CIJ-15

更新时间： 2024-01-01 15:06:08

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三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	182K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

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技术参数
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KM684002CIJ-15 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	36
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	15 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-J36	长度：	23.5 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

KM684002CIJ-15 数据手册

PRELIMINARY

Preliminary

CMOS SRAM

KM684002C, KM684002CI

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (OE= Clock)

tWC

Address

tWR(5)

tAW

tCW(3)

tWP(2)

tAS(4)

tDW

tDH

High-Z

Data in

Valid Data

tOHZ(6)

High-Z(8)

Data out

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (OE=Low Fixed)

tWC

Address

tWR(5)

tAW

tCW(3)

tAS(4)

tWP1(2)

tDH

tDW

High-Z

Data in

Valid Data

tWHZ(6)

tOW

(10)

(9)

High-Z(8)

Data out

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(3) (CS = Controlled)

tWC

Address

tAW

tWR(5)

tCW(3)

tAS(4)

tWP(2)

tDH

tDW

High-Z

Data in

Data out

Valid Data

tLZ

tWHZ(6)

High-Z(8)

Rev 2.0

August 1999

- 7 -

1...4 5 678 9

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与KM684002CIJ-15相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
KM684002CIJ-20	SAMSUNG	Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36	获取价格
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KM684002CJ-10000	SAMSUNG	Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36	获取价格
KM684002CJ-15000	SAMSUNG	Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36	获取价格
KM684002CJ-20	SAMSUNG	Standard SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36	获取价格
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