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KM684002CIJ-15

更新时间： 2024-01-01 05:13:43

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三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	182K
描述
Standard SRAM, 512KX8, 15ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

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技术参数
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KM684002CIJ-15 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	36
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	15 ns
JESD-30 代码：	R-PDSO-J36	长度：	23.5 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	36	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOJ	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	3.76 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

KM684002CIJ-15 数据手册

PRELIMINARY

Preliminary

CMOS SRAM

KM684002C, KM684002CI

RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS*(TA=0 to 70°C)

Parameter

Supply Voltage

Symbol

VCC

VSS

Min

4.5

Typ

Max

Unit

5.0

5.5

Ground

Input High Voltage

Input Low Voltage

VIH

2.2

VCC+0.5***

0.8

VIL

-0.5**

The above parameters are also guaranteed at industrial temperature range.

** VIL(Min) = -2.0V a.c(Pulse Width £ 8ns) for I £ 20mA.

*** VIH(Max) = VCC + 2.0V a.c (Pulse Width £ 8ns) for I £ 20mA.

DC AND OPERATING CHARACTERISTICS*(TA=0 to 70°C, Vcc=5.0V±10%, unless otherwise specified)

Parameter

Input Leakage Current

Output Leakage Current

Symbol

Test Conditions

Min

-2

Max

Unit

ILI

VIN=VSS to VCC

ILO

CS=VIH or OE=VIH or WE=VIL

VOUT=VSS to VCC

-2

Operating Current

ICC

Min. Cycle, 100% Duty

CS=VIL, VIN=VIH or VIL, IOUT=0mA

12ns

15ns

20ns

195

190

185

Standby Current

ISB

Min. Cycle, CS=VIH

ISB1

f=0MHz, CS³ VCC-0.2V,

VIN³ VCC-0.2V or VIN£0.2V

Output Low Voltage Level

Output High Voltage Level

VOL

VOH

IOL=8mA

2.4

0.4

IOH=-4mA

IOH1=-0.1mA

VOH1**

3.95

* The above parameters are also guaranteed at industrial temperature range.

** VCC=5.0V±5%, Temp.=25°C.

CAPACITANCE*(TA=25°C, f=1.0MHz)

Item

Input/Output Capacitance

Input Capacitance

Symbol

CI/O

Test Conditions

VI/O=0V

MIN

Max

Unit

VIN=0V

CIN

* Capacitance is sampled and not 100% tested.

Rev 2.0

August 1999

- 4 -

1 2 345 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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