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KM62U256DLGE-10L

更新时间: 2024-11-25 03:39:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 162K
描述
32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

KM62U256DLGE-10L 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOIC包装说明:SOP, SOP28,.5
针数:28Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.49Is Samacsys:N
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
长度:18.29 mm内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-25 °C组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP28,.5
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3 mm最大待机电流:0.000005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.035 mA最大供电电压 (Vsup):3.3 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:8.38 mmBase Number Matches:1

KM62U256DLGE-10L 数据手册

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KM62V256D, KM62U256D Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No.  
History  
Draft Data  
Remark  
0.0  
Initial draft  
April 1, 1997  
Preliminary  
1.0  
Finalize  
November 12, 1997  
Final  
- Add 70ns part in KM62U256D Family  
- Show ICC read only, and increased value  
ICC = 2mA ® ICC Read = 5mA  
- Seperate ICC1 read and write  
ICC1 = 5mA® ICC1 Read = 5mA, ICC1 Write = 10mA  
- Improved standby current(ISB1)  
Commercial part : 10mA® 5mA  
Extended and Industrial part : 20mA® 5mA  
- Improved VIL(Min.) : 0.4V® 0.6V  
- Improved power dissipation : 0.7W® 1W  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO, LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
Revision 1.0  
1
November 1997  

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