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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP22,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 25 ns | I/O 类型： | SEPARATE |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T22 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 65536 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 22 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64KX1 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP22,.3 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.1 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM6165ALP-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, PDIP22, |
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| KM6165ALP-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, PDIP22, |
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| KM6165AP-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, PDIP22, |
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| KM6165AP-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, PDIP22, |
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| KM6165AP-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, PDIP22, |
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| KM6165J-25 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 25ns, CMOS, PDSO24 |
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| KM6165J-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, PDSO24 |
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| KM6165J-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, PDSO24 |
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| KM6165LJ-35 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 35ns, CMOS, PDSO24 |
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| KM6165LJ-45 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX1, 45ns, CMOS, PDSO24 |
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